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SQM110N06-04L
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
225
200
175
150
V GS = 10 V thru 5 V
180
150
120
125
100
75
V GS = 4 V
90
60
T C = 25 °C
50
25
30
T C = 125 °C
0
V GS = 3 V
0
T C = - 55 °C
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
250
200
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
0.010
0.008
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
150
T C = - 55 °C
0.006
V GS = 4.5 V
T C = 25 ° C
100
0.004
V GS = 10 V
50
0
T C = 125 ° C
0.002
0
0
16
32
48
64
80
0
20
40
60
80
100
120
12 000
I D - Drain Current (A)
Transconductance
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
10 000
8000
C i ss
8
I D = 110 A
V D S = 30 V
6
6000
4
4000
2000
0
C r ss
C o ss
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
Q g - Total G ate Charge (nC)
Gate Charge
S11-2028-Rev. C, 17-Oct-11
3
Document Number: 68866
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